近日，在首届“长江博士创业大赛”决赛中，芯中达材料凭借其在氮化铝陶瓷基板领先的散热优势及广阔的应用场景，打破国外垄断格局，荣获大赛二等奖。长江产业集团将为其提供从资金支持、创业孵化到政策配套、产业协同的全方位创新创业服务。

在电子元件向小型化、高密度、高频率发展的今天，散热成为影响电子设备寿命与性能的关键因素。

近年来，氮化铝陶瓷基板逐渐成为电子器件中的核心散热载体，该产品热导率高于氧化铝10倍，热稳定性可以达到2200℃。但放眼全球，氮化铝陶瓷基板生产集中在美、日、英等国，国内厂商技术发展受限。

如今，一支来自武汉理工大学的博士团队攻克了氮化铝陶瓷基板制备难题，打破国外垄断格局，实现产品热导率达250W/(m·K)，比肩国际水平，为我国集成电路、新能源汽车等高端产业发展提供了自主可控的材料解决方案。目前，该项目已获得多家国资基金投资。

核心技术比肩国际顶尖品牌

近年来，氮化铝陶瓷基板因高热导、耐高温、电性能优良等特性，成为电子设备热管理的核心材料，广泛应用于IGBT模块、集成电路、航空航天、新能源汽车等关键领域。

数据显示，2025年全球氮化铝陶瓷市场规模将接近2000亿元，中国市场规模500亿元，但该产品国产化率仅4%，高端产品长期被国外垄断，国内厂商面临产品性能不足、量产困难、国外出口限制的“三难”困境。

刘志哲介绍，芯中达自2023年成立以来，聚焦高热导率氮化铝陶瓷基板研发，针对浆料调控矛盾多、生坯脱脂缺陷多、高温烧结翘曲多的 “三多”技术瓶颈，构建了全链条解决方案。

“公司首创陶瓷浆料 ‘双塑性剂体系’，使精准协同流延效率提升150%，实现80mm至120mm大尺寸生坯无裂纹、无气泡脱脂。”刘志哲介绍，公司通过优化烧结工艺，降低烧结温度并加速晶格氧析出，最终使产品热导率突破 250W/(m・K)，比肩国际顶尖品牌，远超国内平均水平。

在性能指标上，芯中达产品热膨胀系数与半导体材料匹配，介电强度、抗弯强度等均有明显提升。

凭借技术优势，目前，公司产品已成功切入功率半导体、显示、LED 封装、航空航天、新能源汽车等多个应用场景，与多家企业达成合作，签约订单金额过千万元，市场反馈良好。

得到国资基金青睐 天使轮融资近千万元

“芯中达创立主要基于两点:一是武汉理工大学在先进陶瓷领域的学科积淀，也是我们创立这家公司的底气和基础;二是武汉的集成电路和光电子产业强大的产业需求。”刘志哲介绍。

刘志哲为武汉理工大学博士后、英国威尔士三一圣大卫大学联合培养陶瓷专业博士，深耕陶瓷领域十余年，2019年归国后聚焦先进陶瓷产业化探索，带领团队完成多项核心技术突破。

芯中达材料团队成员多来自武汉理工大学，涵盖材料科学、精密工学、智能控制等多个专业，形成了多学科交叉融合的研发体系。研发骨干有中国博士后科学基金获得者，核心研发人员主持或参与多项国家级科研项目。团队累计获得中国国际大学生创新大赛金奖、第十届“创青春”中国青年创新创业大赛金奖等省部级及国家级奖项30余项，核心技术已申请9项国家发明专利。

目前，公司获得江夏科投、江城基金等国资基金近千万元天使轮投资，并在武汉市江夏智能制造产业园建成完整量产线，可生产陶瓷基板、精密结构件及大型陶瓷件等产品。

“站在长江博士创业大赛的舞台上面，面向成熟的投资机构进行路演，对我们很重要。”刘志哲表示，在博士大赛后，已有创投机构到公司实地走访，也表达了投资意向。

公司计划，明年将聚焦产品中试量产与重点客户拓展，2027-2028年实现产业链协同生产，推动氮化铝陶瓷产业从国产化替代迈向产业出海。